在 3D 闪存方面,三星之前一直是领先的,不过美光去年率先量产了 176 层堆栈的闪存,要想追赶回来,三星最快今年底能量产 224 层堆栈的闪存,性能还会提升 30% 。
三星的 3D 闪存 V-NAND 目前发展到了第七代,最高 176 层,原本计划在去年底量产,但因为 NAND 闪存价格下滑等因素,三星选择推迟量产,今年 Q1 季度才会正式量产,导致技术上稍微落后于美光等公司。
不过三星在下一代闪存上有望追回来, 最快今年底明年初推出第八代 V-NAND 闪存,堆栈层数首次超过 200 层,之前传闻是 228 层,现在的说法是 224 层,相当于在 128 层基础上再堆栈 96 层。
消息称, 三星的 224 层闪存性能也很不错,数据速度提升了 30% , 同时生产效率也提高了 30% 。
此外,三星的 224 层闪存技术难度也很高,之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现 128 层闪存的公司,这次的 224 层则使用了双堆栈技术,技术挑战十分严峻。
【来源:快科技】【作者:宪瑞】
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