CPU 、 GPU 为代表的逻辑工艺制程进入 7nm 之后, EUV 光刻工艺是少不了的,现在内存还停留在 10nm 工艺级别,暂时没用到 EUV 工艺。不过三星、 SK 海力士及美光也确定未来会用,其中美光的 EUV 工艺内存在 2024 年量产。
美光 CEO Sanjay Mehrotra 日前在采访中确认,美光已将 EUV 技术纳入 DRAM 技术蓝图,将由 10nm 世代中的 1γ ( gamma )工艺节点开始导入。
美光 EUV 工艺 DRAM 将会先在台中 A3 厂生产,预计 2024 年进入量产阶段。
注意,这个是 1γ 工艺,不是之前的 1y 工艺, 10nm 级别的内存工艺中前三代是 1x 、 1y 、 1z ,再往后是 1a 、 1 β、 1γ 等。
在美光之前,三星及 SK 海力士都更早进入了 EUV 节点,从去年底就开始部署 EUV 光刻工艺了, 而且比美光更激进,最快在 1a 工艺节点就会量产 EUV 内存芯片。
【来源:快科技】【作者:宪瑞】
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