先进半导体工艺上,台积电、三星一直你追我赶,但是这几年,三星明显有些跟不上趟,不但新工艺的量产进度缓慢、延迟,性能、客户规模也远不如对手。
2021国产IP与定制芯片生态大会上, 三星公开了一份新工艺路线图,赫然显示3GAP 3nm要到2023年才会量产,而台积电早就宣称,会在明年下半年量产自己的3nm。
三星之前也说过会在2022年量产3nm,不过一直说的是3GAE版本,也就是 3nm gate-all-around early ,可以理解为3nm工艺的初始早期版本,而路线图上的3GAP,指的则是 3nm gate-all-around plus ,相当于3nm工艺的加强版,性能自然更好。
这么看来,三星取消了3GAE,直接上更好的3GAP?
有外媒联系了三星的一位发言人,得到的回应是, 三星一直在与客户探讨3GAE工艺,将在2022年如期量产。
这么看来,最大的可能是3GAE工艺还在,但没有外部客户采纳,三星要么拿它来做实验(代价有点大),要么是仅限自用(三星LSI部门),反正是悬了。
三星宣称,3GAE工艺对比7LPP可以性能提升最多35%,或者功耗降低最多50%,或者面积减小最多45%,而且最早说的投产时间是2021年底,现在推到了2022年,但还说如期……
至于3GAP对比3GAE会有多大提升,三星一直没有明确给出数据。
另外在路线图上, 三星5nm、4nm也都增加了新版本,除了初期的5LPE、4LPE,分别增加了集成度和性能都更高的5LPP、4LPP,都支持EUV极紫外光刻,分别计划今年、明年量产。
【来源:快科技】【作者:上方文Q】
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