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Intel200亿美元投资2座芯片工厂:2024年首发20A埃米工艺

时间:2021-09-27 04:20:15  来源:  作者:网络转载
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大小:3.71MB更新:2019-07-02

分类:益智

         3 月份 Intel 新任 CEO 帕特·基辛格宣布了全新的 IDM 2.0 战略,其中主要内容就是投资 200 亿美元在美国建设 2 座新的晶圆厂。 9 24 日,基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基, 2024 年这些工厂要首发量产 20A 埃米工艺。

        美国亚利桑那州是 Intel 晶圆生产的重镇,算上这次的投资, Intel 公司 40 多年来已经在该地区投资了 500 亿美元, CEO 基辛格表示这次的投资代表着 Intel 致力于在该领域长期投资,帮助美国半导体重回领先地位。

        该投资计划预计将创造 3000 多个高技术、高薪酬的长期工作岗位,以及 3000 多个建筑就业岗位和大约 15000 个当地长期工作岗位。

        Intel 公布了这里两座晶圆厂的细节,分别会命名为 Fab 52 Fab 62 ,并首次透露这些工厂将会在 2024 年量产 20A 工艺——这与之前预期的不同,原本以为会量产的是 Intel 4 这样的下两代工艺。

        Intel 20A 工艺是今年 7 月份才公布的,是 Intel 10/7/4/3 工艺之后的升级版,而且首次进入后纳米时代,直接用了埃米( A 代表的是 ?ngstrom 1 纳米等于 10 埃米),技术细节美公布,但字面意义上看 20A 差不多就是 2nm 工艺的级别,符合 3nm 之后的摩尔定律升级规则。

        20A 工艺除了 EUV 光刻工艺之外,还会有 2 大黑科技—— R ibbonFET PowerVia

        根据 Intel 所说, RibbonFET Intel Gate All Around 晶体管的实现,它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。

        PowerVia Intel 独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

        按照规划, 20A 工艺预计会在 2024 年量产,届时台积电的 2nm 工艺应该也会问世, Intel 的工艺再次回到最先进水平。

  【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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