日前 IEEE 电子电器工程师协会宣布， FinFET 晶体管发明人胡正明（ Chenming Hu ）获得了 2020 年的 IEEE 荣誉奖章，这是 IEEE 协会的最高奖励，这一技术使得摩尔定律延寿了数十年。
自从 1965 年， Intel 联合创始人戈登·摩尔提出“摩尔定律”以来，半导体工艺一直按照这个规律发展， 2 年提升一倍的晶体管密度。
不过摩尔定律原本应该终结了，因为按照之类的发展，传统硅基半导体工艺制造难度越来越大，特别是在 28nm 工艺之后。
胡正明教授在这个问题上贡献很大， 他于 1999 年发明了 FinFET 晶体管，也叫鳍式晶体管或者 3D 晶体管，就是因为晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
FinFET 晶体管的设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长， FinFET 闸长已可小于 25nm ，未来预期可以进一步缩小至 9nm ，约是人类头发宽度的 1 万分之 1 。
Intel 在 2012 年正式量产了 3D 晶体管技术，首发的是 22nm 工艺，当时台积电、三星还停留在 28nm 工艺上，之后在 16/14nm 节点上他们才进入了 FinFET 晶体管时代。
从这一点上来说， 胡正明教授发明的 FinFET 技术不仅拯救了摩尔定律， Intel 、 AMD 、 NVIDIA 、苹果、华为、高通、三星等半导体行业的公司都受益于胡正明教授的发明。
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