国产存储器新突破：长江存储推出两款128层闪存

时间：2020-04-13 16:45:27 来源：作者：网络

原标题：国产存储器新突破：长江存储推出两款128层闪存

国产存储器迎来新突破。

4月13日，长江存储宣布成功研发两款128层闪存产品。128层QLC 3D NAND 闪存芯片单颗容量达1.33Tb，另一款为128层512Gb TLC闪存芯片，两款产品均已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

对于闪存行业而言，层数越多难度越大。根据长江存储的规划，该公司会根据技术储备和成熟度，先推出针对消费电子和手机的产品，随后进入服务器、数据中心市场。龚翊指出，容量越高对技术要求也越高，“一开始容量没有这么高的时候先从消费电子产品开始，因此我们第一代32层产品主要针对消费市场；64层产品可以大量应用于手机和PC产品，甚至一些中小容量的服务器固态硬盘；等到更高堆叠层数的3D NAND出来，就适用于大数据中心的固态硬盘。”

据第一财经了解，长江存储128层3D NAND 系列闪存芯片从今年底至2021年中旬陆续量产。与此同时，长江存储64层闪存产品进展也较为顺利。据悉，除了消费电子产品之外，有很多企业级客户正在验证其64层闪存芯片，也有部分企业级客户已经应用。

存储器约占全球半导体产值的三分之一，市场高度集中。市场调研机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)信息显示，2019年第四季度，国际巨头三星、铠侠、西部数据、美光、英特尔和SK海力士六家占据了全球99.5%的NAND闪存市场份额。

长江存储肩负着NAND Flash国产化的重任。长江存储董事长、紫光集团董事长兼CEO赵伟国称其是一个“非常血性的行业，非常惨烈”。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊介绍称，128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。

Xtacking技术是闪存的一种创新架构，可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND能获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，Xtacking只需一个处理步骤即可通过数百万根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合，合二为一。该技术架构在2018年美国FMS（闪存峰会）上获得大奖。

2019年9月，长江存储宣布，公司已开始量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

此前，群联电子董事长兼CEO潘健成在1月16日接受第一财经等媒体采访时表示，群联电子已将长江存储第一代32层闪存导入其国内所有的产品，包括机顶盒、智能音箱、数码电视等已经在积极出货，“证明产品没有问题，往后到第二代64层产品，我特别惊讶，因为看到问题比其他日系、韩系、美系企业的少，这些企业从第一代到第二代一直会有重复的问题出现。”

就在上周，长江存储表示，此次疫情对研发进度短期会有所波及，目前长江存储已实现全员复工，各项进度正在抓紧追赶，中长期来看并不会影响总体进度，128层会按计划在2020年推出，目前已达到当前产能100%利用率。

不过，长江存储正面临产能爬坡的挑战。

目前长江存储有一座12英寸晶圆厂，规划满产的产能为10万片/月，今年年底前产能在5万片/月以上，预计2021年完成10万片/月的目标。据第一财经了解，目前产能约为2万片/月。

市场调研机构Gartner在近期一份报告中指出，受疫情影响，2020年全球半导体行业收入为4154亿美元，将下滑0.9%。不过，占半导体收入约三分之一的存储器市场规模今年仍将达到1247亿美元，较上年增长13.9%，而非存储器收入同比下降6.1%。

其中，由于从2019年开始严重缺货，NAND 闪存收入预计在2020年将增加40%；而DRAM预计将下滑2.4%，“由于需要通过持续的战略投资来支持更多的远程工作和在线访问，超大规模数据中心和通信基础设施领域将更能抵抗需求下滑。”Gartner研究业务副总裁理查德·戈登表示。

责编：刘佳

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