3 月份 Intel 新任 CEO 帕特·基辛格宣布了全新的 IDM 2.0 战略，其中主要内容就是投资 200 亿美元在美国建设 2 座新的晶圆厂。 9 月 24 日，基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基， 2024 年这些工厂要首发量产 20A 埃米工艺。

        美国亚利桑那州是 Intel 晶圆生产的重镇，算上这次的投资， Intel 公司 40 多年来已经在该地区投资了 500 亿美元， CEO 基辛格表示这次的投资代表着 Intel 致力于在该领域长期投资，帮助美国半导体重回领先地位。

        该投资计划预计将创造 3000 多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及 3000 多个建筑就业岗位和大约 15000 个当地长期工作岗位。

        Intel 公布了这里两座晶圆厂的细节，分别会命名为 Fab 52 、 Fab 62 ，并首次透露这些工厂将会在 2024 年量产 20A 工艺——这与之前预期的不同，原本以为会量产的是 Intel 4 这样的下两代工艺。

        Intel 20A 工艺是今年 7 月份才公布的，是 Intel 10/7/4/3 工艺之后的升级版，而且首次进入后纳米时代，直接用了埃米（ A 代表的是 ?ngstrom ， 1 纳米等于 10 埃米），技术细节美公布，但字面意义上看 20A 差不多就是 2nm 工艺的级别，符合 3nm 之后的摩尔定律升级规则。

        20A 工艺除了 EUV 光刻工艺之外，还会有 2 大黑科技—— R ibbonFET 及 PowerVia 。

        根据 Intel 所说， RibbonFET 是 Intel 对 Gate All Around 晶体管的实现，它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

        PowerVia 是 Intel 独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

        按照规划， 20A 工艺预计会在 2024 年量产，届时台积电的 2nm 工艺应该也会问世， Intel 的工艺再次回到最先进水平。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】